SamSamsung ร่วมมือกับ Sun พัฒนา NAND Flash Memory Chip

Samsung NAND timeline Credit : teamxbox.com

Samsung ผู้ผลิตชิปอันดับหนึ่งของโลกร่วมมือกับ Sun พัฒนา NAND Flash Memory Chip
การร่วมมือกันครั้งนี้เพื่อเพื่มประสิทธิภาพของ write/erase cycle ให้ได้ 5 เท่าของ Flash Memory แบบ SLC (Single Level Cell) ในปัจจุบัน

Samsung Electronics Co. ได้เปิดเผยชิป SLC NAND Flash Memory ขนาด 8 GB ที่มีความทนทานสูง ซึ่งเป็นความร่วมมือกับทาง Sun Microsystems Inc. โดยมุ่งเป้าไปที่การทำให้ชิปนั้นมีอายุยาวนานมากขึ้นพร้อมกับเพิ่ม ประสิทธิภาพของ SSD (Solid State Drives)

ชิป Flash Memory ใหม่นี้สามารถเพิ่มความเร็วรอบของการเขียนและลบสูงถึง 5 เท่าเมื่อเทียบกับอุปกรณ์หน่วยความจำ SLC ทั่วไป ซึ่งโดยทั่วไปแล้วชิปประเภทนี้สามารถเขียนและลบได้เพียง 100,000 ครั้งเท่านั้น ส่วนราคาและเวลาที่จะวางจำหน่ายนั้นยังมิได้มีการเปิดเผย

Graham Lovell หัวหน้าอาวุธโสในโครงการ Open Storage ได้ยืนยันว่า Sun ได้ร่วมพัฒนาเทคโนโลยีนี้แต่ปฏิเสธที่จะให้ข้อมูลทางด้านเทคนิคใดและเวลาที่ จะใด้เห็นในท้องตลาด เขากล่าวเพียงว่า "It's their device, not ours,"

Lovell ยังเสริมว่า Sun ได้ทำงานร่วมกับ Samsung เป็นเวลาหลายสัปดาห์เพื่อที่จะแน่ใจว่าเทคโนโลยีใหม่นี้จะบรรจุเป้าหมายที่ ได้ตั้งไว้ เขาอธิบายว่า อุปกรณ์ Flash Memory ใหม่ตัวนี้ทำงานได้กับ Sun Server และ อุปกรณ์ Storage อื่น ๆ แต่ทาง Sun ก็มีแผนที่จะปล่อย Solid-state ที่เป็นเทคโนโลยีของตัวเองออกมาเช่นกันในช่วงปลายปีนี้ Lovell กล่าวว่า Samsung คาดหวังว่าชิปใหม่นี้จะสามารถทำงานได้ดีกับการประมวลผลระดับ High-end Server ประมวลผลข้อมูล และ การเก็บข้อมูลทั่วไป

นักวิเคราะห์ได้ทำนายว่า บรรดาผู้ใช้งานจะเริ่มให้ความสนใจกับการเก็บข้อมูลแบบ Solid-state ซึ่งจะเป็นทางเลือกหนึ่ง ที่เพิ่มขึ้นมาจากระบบเก็บข้อมูลแบบจานแม่เหล็กหมุน Jeff Junakowicz นักวิเคราะห์ทางการตลาดของ IDC ได้ยอมรับว่าราคาของเทคโนโลยีใหม่นี้จะยังคงสูงอยู่เมื่อเทียบกับไดรฟ์แบบ เก่า ซึ่งจะเป็นอุปสรรคในการทำตลาด Corporate IT

Junakowicz ได้บอกว่า Samsung เลือกที่จะมุ่งประเด็นไปที่การแก้ปัญหาของการเขียนและลบข้อมูลที่ยังคงด้อย อยู่ของชิป NAND นี้ และจากการร่วมมือกับทาง Sun นี้เป็นไปได้ว่าในอนาคตเราอาจจะได้ประโยชน์จากเทคโนโลยีเก็บข้อมูลใหม่จาก พวกเขา

ที่มา : computerworld